L'NGD8201AG è un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) a canale N, progettato specificamente per applicazioni automotive ad alta potenza, in particolare come driver per bobine di accensione.
Specifiche Tecniche Principali
Tipo: IGBT a canale N con livello logico (Logic Level).
Tensione Collettore-Emettitore (): 400 V - 440 V.
Corrente di Collettore (): 20 A continui (fino a 50 A impulsivi).
Package: SMD di tipo TO-252 (noto anche come DPAK).
Caratteristiche integrate: Include una circuiteria monolitica con protezione ESD e morsetto (clamp) di sovratensione integrato per gestire i carichi induttivi delle bobine.
Tensione di saturazione (): Tipicamente 1,15 V - 1,3 V.
Applicazioni Comuni
È ampiamente utilizzato nelle centraline elettroniche (ECU) per il controllo dei motori, tra cui:
Sistemi di accensione: Pilotaggio di bobine d'accensione (Coil-on-Plug) per marchi come BMW, Fiat (centraline Bosch/Magneti Marelli) e Hyundai.
Iniezione di carburante: Iniezione diretta di benzina.
Switching industriale: Qualsiasi applicazione che richieda la commutazione di correnti e tensioni elevate con segnali a livello logico.
Pinout (TO-252 / DPAK)
Gate (G): Pin di controllo (sinistra).
Collettore (C): Pin centrale (spesso collegato al tab metallico posteriore).
Emettitore (E): Pin di uscita (destra).
(Nota: il tab metallico posteriore funge solitamente da collettore per la dissipazione del calore).
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