Tipo di transistor: MOSFET
Tipo di canale di controllo: canale N
Valori massimi assoluti
Pd ? - Dissipazione di potenza massima: 52,1 W
|Vds|? - Tensione massima drain-source: 100 V
|Vgs|? - Tensione massima gate-source: 20 V
|Id| ? - Corrente di scarico massima: 40 A
Tj ? - Temperatura massima di giunzione: 150 °C
Caratteristiche elettriche
|VGSth|? - Tensione di soglia del gate massima: 4 V
Qg ? - Carica totale del gate: 60 nC
tr ? - Tempo di salita: 46 nS
Coss? - Capacità di uscita: 137 pF
RDSon? - Resistenza massima drain-source in stato attivo: 0,038 Ohm
Contenitore: TO252
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