Tipo di transistor: MOSFET
Tipo di canale di controllo: canale N
Valutazioni massime assolute
Pd ? - Dissipazione di potenza massima: 1,3 W
|Vds|? - Tensione massima drain-source: 100 V
|Vgs|? - Tensione massima gate-source: 20 V
|Id| ? - Corrente di scarico massima: 1,3 A
Tj ? - Temperatura massima di giunzione: 175 °C
Caratteristiche elettriche
|VGSth|? - Tensione massima di soglia del gate: 4 V
Qg ? - Carica totale del gate: 16 max nC
tr ? - Tempo di salita: 27 nS
Coss? - Capacità di uscita: 150 pF
RDSon? - Resistenza massima in stato attivo drain-source: 0,27 Ohm
Pacchetto: HD-1
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