Designatore del tipo: J112
Tipo di transistor: JFET
Tipo di canale di controllo: canale N
Valutazioni massime assolute
Pd ? - Dissipazione di potenza massima: 0,4 W
|Vds|? - Tensione massima drain-source: 35 V
|Id| ? - Corrente di scarico massima: 0,05 A
Tj ? - Temperatura massima di giunzione: 150 °C
Caratteristiche elettriche
|VGSoff|? - Tensione minima di interruzione gate-sorgente: 1 V
Coss? - Capacità di uscita: 3 pF
RDSon? - Resistenza massima in stato attivo drain-source: 30 Ohm
Pacchetto: TO92
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