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Codice 35332
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Type Designator: FGH80N60FD
   Type: IGBT + Anti-Parallel Diode
   Type of IGBT Channel: N
   Pc ? - Maximum Power Dissipation: 290 W
   |Vce|? - Maximum Collector-Emitter Voltage: 600 V
   |Vge|? - Maximum Gate-Emitter Voltage: 20 V
   |Ic| ? - Maximum Collector Current: 80 A @25?
   |VCEsat|? - Collector-Emitter saturation Voltage, typ: 1.8 V @25?
   |VGEth|? - Maximum G-E Threshold Voltag: 7 V
   Tj ? - Maximum Junction Temperature: 150 ?
   tr ? - Rise Time, typ: 56 nS
   Coes? - Output Capacitance, typ: 200 pF
   Qg ? - Total Gate Charge, typ: 120 nC
   Package: TO247
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