IRFP250

Codice	34074
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Panoramica del prodotto

IRFP250N è un singolo MOSFET di potenza HEXFET a canale N da 200V in un package TO-247AC. Questo prodotto è caratterizzato da resistenza in conduzione per area di silicio estremamente bassa, rapporto dv/dt dinamico, facilità di messa in parallelo, struttura rinforzata, commutazione rapida, requisiti di drive semplici e massima capacità di valanga. È grazie a queste caratteristiche che i MOSFET di potenza sono noti per fornire efficienza e affidabilità estreme da usare in un'ampia varietà di applicazioni.

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Infineon
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	200 V
Id - corrente di drain continua:	30 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	75 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.8 V
Qg - Carica del gate:	82 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	214 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Tube
Marchio:	Infineon Technologies
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	33 ns
Transconduttanza diretta - Min:	17 S
Altezza:	20.7 mm
Lunghezza:	15.87 mm
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	43 ns
	400
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	41 ns
Tipico ritardo di accensione:	14 ns
Larghezza:	5.31 mm
Peso unità:	6 g

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