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IRF9610PBF MOSFET Vishay 1, canale P, TO-220AB, 3 Pin Singolo Si
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Dettagli prodotto
MOSFET canale P, da 100V a 400V, Vishay Semiconductor
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Specifiche
Attributo |
Valore |
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Tipo di canale |
P |
Corrente massima continuativa di drain |
1,8 A |
Tensione massima drain source |
200 V |
Tipo di package |
TO-220AB |
Tipo di montaggio |
Su foro |
Numero pin |
3 |
Resistenza massima drain source |
3 O |
Modalità del canale |
Enhancement |
Tensione di soglia gate minima |
2V |
Dissipazione di potenza massima |
2 W |
Configurazione transistor |
Singolo |
Tensione massima gate source |
-20 V, +20 V |
Numero di elementi per chip |
1 |
Materiale del transistor |
Si |
Carica gate tipica @ Vgs |
11 nC a 10 V |
Lunghezza |
10.41mm |
Minima temperatura operativa |
-55 °C |
Larghezza |
4.7mm |
Massima temperatura operativa |
+150 °C |
Altezza |
9.01mm |
88 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)
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